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G2312B
G2312B 是一款为控制 N&N 沟道 MOSFETs而设计的二路 Gate 驱动 IC。芯片内部有 2个半桥,共驱动 2 个上臂 N 沟道功率MOSFETs和2个下臂 N沟道功率MOSFETs,每一路输出均由单一逻辑输入信号控制, 由MCU 或控制器来控制马达工作于任意模式。芯片内部集成了 3.3/5V 的 LDO,电流能力达到 100mA。
G2312B
产品特性
启动
系统上电后,当 VM 引脚电压达到芯片工作电压阀值时,内部电路开始工作。LDO 输出逐渐上升,直到其输出电压稳定在 5V/3.3V。
过温保护
一旦芯片温度超过 155℃,芯片将关闭所有的输出,除 LDO 输出外;当温度低于 135℃时,芯片又重新恢复正常工作状态。
MOS 管驱动
一般情况下,G2312B 可以直接驱动大部分的 N/N MOS,但有时需要添加适当的 MOS 栅电阻。
PCB 布局
首先,VM 和 VO5 的旁路电容必须尽可能地靠近引脚,建议使用容值 1uF 的陶瓷电容。其次,外露的焊盘可以定义为芯片地或者当热焊盘便于散热。
目标应用
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